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射频磁控溅射沉积的ZnO薄膜的光致发光中心与漂移OA北大核心CSCDCSTPCD

Photoluminescence centers and shift of ZnO films deposited by rf magnetron sputtering

中文摘要

利用射频磁控溅射法在n型单晶硅衬底上制备了ZnO薄膜.通过改变源气体中氩气和氧气的流量比制备了具有不同化学计量比的ZnO薄膜,并且将它们在真空中作了加热后处理来研究ZnO薄膜的光致发光特性.这些在常温衬底上沉积的薄膜可发出强的蓝光,其峰位会随氧流量的减少而发生红移.从导带底到锌缺陷形成的受主能级之间的跃迁可能是产生蓝光发射的原因.

李伙全;宁兆元;程珊华;江美福

苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州,215006苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州,215006苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州,215006苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州,215006

数理科学

ZnO薄膜光致发光退火蓝光发射

《物理学报》 2004 (3)

867-870,4

全文链接

https://opaj.napstic.cn/periodicalArticle/downloadReview/0120100373927432

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