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https://opaj.napstic.cn/periodicalArticle/downloadReview/0120100362450305
高质量纳米ZnO薄膜的光致发光特性研究OA北大核心CSCDCSTPCD
A study on photoluminescence characterization of high-quality nanocrystalline ZnO thin films
报道了利用低压-金属有机物化学气相沉积技术生长纳米ZnS薄膜,然后,将ZnS薄膜在氧气中于800℃温度下进行热氧化制备高质量纳米ZnO薄膜.x射线衍射结果表明,纳米ZnO薄膜具有六角纤锌矿多晶结构.室温下观察到一束强的紫外(3.26 eV) 光致发光和很弱的深能级发射.根据激子峰的半高宽度与温度的关系确定了激子-纵向光学声子(LO)的耦合强度(ГLO).由于量子限域效应使ГLO减少较多.
张喜田;肖芝燕;张伟力;高红;王玉玺;刘益春;张吉英;许武
哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨,150080中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨,150080哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨,150080哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨,150080哈尔滨师范大学物理系,哈尔滨,150080中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021中国科学院激发态物理开放研究实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,长春,130021
数理科学
光致发光热氧化激子纳米ZnO薄膜
《物理学报》 2003 (3)
半导体光子集成基础研究
740-744,5
中国科学院百人计划、国家自然科学基金(批准号:69896260)、黑龙江省自然科学基金(批准号:A02-06)、国家教育部科学技术研究重点项目及黑龙江省普通高等学校骨干教师创新能力资助计划资助的课题.
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