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热氧化法制备ZnO薄膜及其特性研究OA北大核心CSCD
ZnO Thin Films Prepared by Thermal Oxidation Method and It's Properties Study
用热氧化金属Zn膜的方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明,500℃氧化的样品的结晶性能最好.随氧化温度的升高,薄膜内的应力方向在450～500℃之间发生转变,从沿c轴的张应力变为压应力.500℃氧化的样品的室温光致发光(PL)谱中,紫外峰的半高宽为94.8 meV,其强度与深能级发射强度之比高达162.氧化温度超过700℃后,样品的PL谱以深能级发射为主,对此现象产生的原因进行了讨论.
赵杰;胡礼中;王兆阳;王志俊;赵宇;梁秀萍
大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024
信息技术与安全科学
半导体材料ZnO薄膜热氧化X射线衍射光致发光
《电子元件与材料》 2005 (3)
用于超高密度光存储的集成式SNOM微探尖的选择生长研究
40-43,4
国家自然科学基金资助项目(60377005)辽宁省科学技术基金资助项目(20022133)
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