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https://opaj.napstic.cn/periodicalArticle/downloadReview/0120100280670872
用PLD法成功制备了一系列高质量的MgZnO薄膜.实验中发现高脉冲能量沉积薄膜的结构和发光特性随基片温度的变化规律与低脉冲能量下的结果不一样:基片在室温时高脉冲能量制备薄膜的XRD峰的半峰全宽比高基片温度时的结果相对更小;AFM显示其颗粒变大,柱状生长突出;PL谱紫峰与绿峰强度比最大,结晶质量反而提高.另一方面,与低脉冲能量时相反,增大氧气压强后高脉冲能量沉积的薄膜XRD半峰全宽变窄.结合实验现象和表征,合理解释了高脉冲能量沉积的机理.室温制备高质量MgZnO薄膜的PLD沉积机理对于以后在柔性衬底上沉积薄膜的研究有重要的参考价值.
汪壮兵;李祥;于永强;梁齐;揭建胜;许小亮
合肥工业大学,应用物理系,安徽,合肥,230009合肥工业大学,应用物理系,安徽,合肥,230009合肥工业大学,应用物理系,安徽,合肥,230009合肥工业大学,应用物理系,安徽,合肥,230009合肥工业大学,应用物理系,安徽,合肥,230009中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026
数理科学
MgZnO薄膜脉冲激光沉积X射线衍射原子力显微镜光致发光谱
《发光学报》 2009 (3)
基于准一维半导体高性能场效应器件的研究
344-350,7
国家自然科学基金(50872129,60806028) 合肥工业大学博士专项基金资助项目
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