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射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究OA北大核心CSCD
Structural and photoluminescence characters of SnO2:Sb thin films prepared by rf magnetron sputtering
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡(SnO2:Sb)薄膜.制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为[110].室温下光致发光测量结果表明,在392 nm附近存在强的紫外-紫光发射,研究了不同氧分压对薄膜结构及发光性质的影响,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.
王玉恒;马瑾;计峰;余旭浒;张锡健;马洪磊
山东大学物理与微电子学院,济南,250100山东大学物理与微电子学院,济南,250100山东大学物理与微电子学院,济南,250100山东大学物理与微电子学院,济南,250100山东大学物理与微电子学院,济南,250100山东大学物理与微电子学院,济南,250100
数理科学
SnO2:Sb薄膜,结构特征,光致发光,射频磁控溅射
《物理学报》 2005 (4)
高质量氧化锡薄膜的制备及其发光性质的研究
1731-1735,5
国家自然科学基金(批准号:90401004)和教育部科学技术研究重点项目(批准号:02165)资助的课题.
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